ttksd 发表于 2016-11-15 13:13

SIWave DC直流压降仿真方法

  本文将向你展示SIWave如何仿真电源网络 VRM和芯片之间的直流压降。由于PCB板上有大量的平面分割,非理想的电流路径和过孔等,这些将会导致电源分布网络电压的衰减。

  图1 导入PCB
  导入PCB之后,检查完PCB 叠层、网表、电路参数无误后,进行如下操作:
  1.点击TOOLS中如下功能栏

  图2 添加端口选项

  2.在以下界面中进行如下操作,选择需要分析的芯片,选择电流源的正端为VCC负端为DGND,点击OK,在电源和地之间创建电流源负载。这个例子将重点放在频率独立设置。一般来说,电流源的并联电阻高。我们将使用5E 007欧姆的默认值,相当于理想电流源。

  图3 添加端口

  3.添加电压源VRM,在直流电压的源端添加电压源,设置电压源参数如下:

  图4 添加电压源
  4.点击Simulation > SIwave > Compute DC Current/Voltage 对PCB进行直流压降分析。

  5.点击Results > SIwave > DC IR DROP > DC IR SIM 1 > Currents/Voltages,生成图像如下:

  图5 查看仿真结果

  同时,在Results里面还能进行电流及功率分布操作通电压分布。


转自:http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA3NDk5NDgwNg==&mid=2649794509&idx=2&sn=06eee6cd6902de6ab9df6e873946bc27&chksm=877342d4b004cbc2ce1a4918cc47d51c036dd13959694852cffd57692b577b7a3cedb93bc8ce&mpshare=1&scene=23&srcid=1114Awlc5PH4M1n4Lxb51vam#rd

页: [1]
查看完整版本: SIWave DC直流压降仿真方法